从成本和技术角度看高通28nm产品为何弃用流行的HKMG工艺
1、技术因素： 从技术角度看，在IEDM会展期间，高通技术主管P.R. Chidambaram则在一份描述其28nm技术的文件中称，如果某种用于HKMG的工艺无法为沟道提供足够的沟道应变力，那么采用这种工艺出来的晶体管其性能便无法比采用传统poly/SiON+强效沟道硅应变工艺的晶体管高出多少。
2、”技术因素： 从技术角度看，在IEDM会展期间，高通技术主管P.R. Chidambaram则在一份描述其28nm技术的文件中称，如果某种用于HKMG的工艺无法为沟道提供足够的沟道应变力，那么采用这种工艺出来的晶体管其性能便无法比采用传统poly/SiON+强效沟道硅应变工艺的晶体管高出多少。
3、在28nm制程下，HKMG工艺后栅极技术已经证明是最具竞争力的技术路线，我国的中芯国际、上海华力等企业采用此技术路线。从专利分析结果看，HKMG工艺后栅极技术在其重点分支（金属栅结构、替代栅极工艺实现技术）上已有大量专利布局，技术提升难度较大，并存在一定的专利侵权风险。
4、如果从CPU本身来说的话，工艺。高通目前的28nm是旧工艺开始淘汰的poly/sion，而三星的32nm是新工艺hkmg。poly/sion是传统的多晶硅栅+氮氧化硅绝缘层（poly/sion）的栅极结构虽然便宜，但漏电率高，功耗大，性能相对弱。
5、尽管8x74核心的骁龙800在3GHz时功耗为6瓦特，比8064在9GHz时的4瓦特稍高，但得益于HKMG工艺在高频率下的优势，8x74在相同频率下的功耗低20%。然而，当频率提高到3GHz，漏电问题开始显现，使得8064无法维持这一频率，而8x74则可通过电压控制保持相对较低的漏电。
6、针对中低端市场的骁龙616处理器将采用八个Cortex-A53架构核心，主频在8-2GHz之间，集成Adreno 408图像处理器，3DMark得分可达15000分以上，搭载的基带支持LTE-A Cat6制式，采用中芯国际28nm HKMG工艺。
