先进封装之盖楼——2.5D、3D封装
封装技术从2D封装向更高级的5D和3D封装设计转变，以满足芯片对更高集成度、良好电气性能、较小时序延迟和较短垂直互连的需求。5D和3D封装的主要区别在于，5D封装中，逻辑芯片与其他堆叠的内存部分并排位于Si中介层上，而3D封装中，逻辑芯片和内存部分直接堆叠在一起。
探索未来封装技术：5D与3D的革新之路 在电子行业不断发展的道路上，先进封装技术——5D和3D封装，扮演着至关重要的角色。它们不仅提升了芯片的密度和速度，还影响着产品的成本与商业模式。让我们一同深入解析这两种封装技术的区别和特点。
D集成：与“3D封装”不同，3D集成指的是通过TSV实现芯片垂直方向电学互连的3D IC堆叠技术。由半导体代工厂完成，属于垂直堆叠封装。而3D封装则特指将芯片垂直方向堆叠的封装技术，包括PoP和基于WB的3D堆叠封装，由封装厂负责。
D封装和3D封装是先进封装技术的扩展，它们通过中介层（如硅中介板）连接芯片与电路板，分别通过5D的中层结构和3D的垂直堆叠来解决尺寸和连接问题。CoWoS技术，即Chip on Wafer on Substrate，是这两种封装的代表，通过将芯片堆叠和基板封装结合，减少空间占用，降低功耗。
