AD10通常指的是英特尔的10nm制程技术，而“最小间距”在半导体制造中通常指的是晶圆上集成电路设计中晶体管之间的最小距离，这个距离直接影响到集成电路的密度和性能。
改变AD10的最小间距通常涉及以下几个方面：
1. 先进的光刻技术：使用更先进的光刻技术，如极紫外（EUV）光刻，可以提高光刻分辨率，从而减小最小间距。
2. 工艺优化：在工艺层面进行优化，包括材料、设备、工艺流程等，以提高生产过程中对间距控制的能力。
3. 设计规则调整：通过调整设计规则（Design Rule），可以允许更小的间距设计，但同时需要确保设计的可靠性和制造可行性。
4. 芯片设计优化：在芯片设计阶段，采用优化设计技术，比如使用更紧凑的布局、优化晶体管结构等，来减小间距。
5. 制造工艺改进：通过改进现有的制造工艺，如提高刻蚀精度、增强化学气相沉积（CVD）工艺等，来缩小间距。
以下是一些具体的方法：
提高分辨率：采用EUV光刻技术可以比传统的193nm光刻技术提高大约10倍的分辨率，使得更小的间距成为可能。
多级光刻：使用多级光刻技术，将图案分解成多个步骤进行，可以减小间距。
多重曝光：在同一层上使用多次曝光来细化图案，从而实现更小的间距。
光刻胶和工艺：改进光刻胶的性能和工艺参数，提高对光刻过程的控制。
图案转移技术：使用先进的图案转移技术，如原子层沉积（ALD）或金属有机化学气相沉积（MOCVD），可以精确控制图案的尺寸。
缩小间距虽然可以提高芯片的集成度，但也会带来制造难度增加、良率下降、性能降低等问题，因此在实际应用中需要在多个因素之间进行权衡。
