IRF640N是一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），要检验其好坏，可以按照以下步骤进行：
1. 外观检查：
检查IRF640N的外观是否有明显的划痕、裂纹或其他物理损伤。
确认引脚是否完好，没有弯曲或断裂。
2. 测试电路搭建：
准备一个简单的测试电路，可以使用一个直流电源和一个小灯泡或电流表来测试。
将IRF640N的栅极（G）连接到电源的正极，漏极（D）连接到电源的负极，源极（S）接地。
3. 测试步骤：
开启状态测试：
将栅极电压（Vgs）逐渐升高到10V，观察漏极电流（Id）是否能够通过IRF640N。
如果漏极电流能够通过，说明IRF640N在开启状态下工作正常。
关闭状态测试：
将栅极电压（Vgs）降低到0V，观察漏极电流（Id）是否为0。
如果漏极电流为0，说明IRF640N在关闭状态下工作正常。
4. 使用万用表测试：
使用万用表的二极管测试功能，将红表笔接在源极（S），黑表笔接在漏极（D），此时应显示正向导通。
将红表笔接在漏极（D），黑表笔接在源极（S），此时应显示反向导通。
如果上述两种情况都不符合，说明IRF640N可能已经损坏。
5. 测量参数：
使用万用表的电阻挡，测量栅极（G）与源极（S）之间的电阻值，应呈现一定的阻值。
测量漏极（D）与源极（S）之间的电阻值，在开启状态下应接近0Ω，在关闭状态下应接近无穷大。
通过以上步骤，可以初步判断IRF640N的好坏。如果需要更精确的测试，可以使用专业的电子测试仪器进行参数测量。
