在半导体行业中，"ad15"通常指的是一种工艺节点，比如台积电的15纳米（nm）工艺。内电层（interlayer dielectric，简称ILD）是半导体器件中用于隔离各个层之间的绝缘层。以下是分割ad15内电层的一般步骤：
1. 材料选择：
根据工艺要求选择合适的ILD材料，如高介电常数材料（High-k）或氧化硅（SiO2）。
2. 前道工艺：
清洁晶圆表面，确保无污染。
使用刻蚀工艺去除表面的污染物或残留层。
3. 淀积ILD：
使用CVD（化学气相沉积）或其他合适的淀积技术将ILD材料沉积到晶圆表面。
控制淀积条件，确保ILD层的均匀性和厚度。
4. 图案化：
使用光刻技术将ILD层进行图案化，形成所需的图案。
光刻后的ILD层需要通过蚀刻来形成图案。
5. 分割ILD层：
使用蚀刻工艺来分割ILD层。这个过程可能包括以下步骤：
刻蚀前的准备：对ILD层进行表面处理，以改善刻蚀均匀性和选择性。
选择蚀刻：选择合适的蚀刻剂和蚀刻条件，以避免对邻近层（如栅极层）的损害。
刻蚀：在刻蚀机中进行蚀刻，以分割ILD层。
后刻蚀处理：蚀刻完成后，可能需要进行清洗和检查，确保没有残留物。
6. 检查和优化：
对分割后的ILD层进行电镜等检查，确保分割均匀且无缺陷。
根据检查结果对蚀刻工艺进行调整，以优化分割效果。
7. 后续工艺：
分割ILD层后，进行后续的工艺步骤，如沉积金属层、光刻、蚀刻等。
在整个过程中，需要严格控制工艺参数，以确保ILD层的分割质量和器件的性能。随着工艺的进步，分割ILD层的方法和材料也在不断更新，以满足更高的性能和集成度要求。
